對 AMD 旗艦級 Radeon RX 9070 XT 顯示卡的全面調查揭示了一個意外的效能差異，這種差異基於記憶體供應商的選擇。中國硬體評測師 51972 發現，配備 Samsung GDDR6 模組的型號持續表現不如使用 SK Hynix 記憶體的相同顯示卡，這突顯了即使在同一產品線內，元件採購也會如何影響高階 GPU 效能。
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| 基準測試結果展示了配備 Samsung 和 SK Hynix 記憶體模組的 GPU 之間的效能差異 |
廣泛測試揭示持續的效能差距
這一發現源於對中國市場上超過20款不同 RX 9070 XT 顯示卡的詳盡評估。評測師 51972 在 Bilibili 上進行的測試專門關注於隔離變數，以確定為什麼某些高階超頻型號意外地落後於基礎規格顯示卡。該調查使用 3DMark 的 Speed Way 基準測試作為主要效能指標，確保所有22個 GPU 樣本的測試條件一致。
結果持續顯示配備 Samsung 記憶體的顯示卡比其 SK Hynix 對應產品效能低1-2%。即使基於 Samsung 的型號在更高時鐘頻率下執行並消耗更多功率，這種效能缺陷仍然存在，這表明記憶體子系統正在創造一個無法透過傳統超頻方法克服的瓶頸。
測試方法
- 樣本數量：測試了 22 個不同的 RX 9070 XT 顯示卡單元
- 主要基準測試：3DMark Speed Way
- 記憶體測試工具：Clamchowder 快取基準測試
- 測試地點：中國市場分析
- 確認方：AMD China 技術團隊驗證
記憶體延遲成為關鍵效能因素
根本原因在於兩家記憶體供應商的 GDDR6 實現之間的根本差異。Samsung 的模組以明顯更寬鬆的記憶體時序執行，與 SK Hynix 替代品相比，導致可測量的更高延遲。使用 Clamchowder 快取基準測試工具進行的專業記憶體測試顯示，SK Hynix 模組在類似條件下實現了350-360納秒的最大延遲，而 Samsung 模組達到了370-380納秒。
當評測師聯絡時，AMD 的中國技術團隊證實了這些發現，正式承認 Samsung 的 GDDR6 實現導致了觀察到的效能迴歸。該公司將差異歸因於 Samsung 記憶體架構的固有時序特性，該架構與 SK Hynix 的方法相比，優先考慮不同的效能方面。
效能對比資料
| 記憶體供應商 | 最大延遲 | 3DMark 效能 | 熱特性 |
|---|---|---|---|
| SK Hynix GDDR6 | 350-360ns | 基準值 (100%) | 標準工作溫度 |
| Samsung GDDR6 | 370-380ns | 慢 1-2% | 執行溫度略低 |
實際影響仍然有限
雖然效能差距在合成基準測試中是可測量的，但其對遊戲的實際意義仍然值得質疑。測試方法專門關注 3DMark 結果，沒有納入實際遊戲場景，在這些場景中，記憶體延遲差異可能被其他系統瓶頸所掩蓋。1-2%的效能差異可能在實際使用中轉化為最小的幀率差異，在特定邊緣情況下可能代表58幀和60幀每秒之間的差異。
Samsung 模組在測試期間確實展示了一個優勢，執行溫度略低於其 SK Hynix 對應產品。這種熱量優勢可以提供一些抵消價值，特別是在緊湊型系統或環境溫度升高的地區，熱管理變得至關重要。
對 GPU 買家的市場影響
這些發現出現在 RX 9070 XT 可用性面臨挑戰的時期，顯示卡在釋出三個月後仍然稀缺。當前市場價格持續超過599美元建議零售價150美元或更多，使得任何效能最佳化對願意支付高價的買家來說都變得越來越有價值。AMD 承諾在2025年第二季度恢復建議零售價定價的承諾尚未實現，讓消費者以合理價格獲得這些顯示卡的選擇有限。
對於潛在買家來說，在購買前識別記憶體供應商為已經困難的購物過程增加了另一層複雜性。大多數製造商不會突出宣傳他們的記憶體供應商選擇，要求買家研究特定型號規格或直接聯絡供應商以確定他們首選顯示卡使用哪種 GDDR6 模組。