Samsung 新一代 GDDR7 記憶體突破效能極限：速度達42.5 GT/s，頻寬高達170 GB/s

隨著 Samsung 和 SK hynix 準備展示其最新的 GDDR7 記憶體創新技術，圖形記憶體領域即將迎來重大突破。這些發展代表著記憶體技術的關鍵進步，可能重塑高效能計算和圖形處理的未來。

記憶體速度的突破性進展

Samsung 將在即將舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上展示其突破性的24Gb（3GB）GDDR7 記憶體晶片。這款新型記憶體解決方案的傳輸速率高達42.5 GT/s，單晶片峰值頻寬達到170 GB/s。相比目前執行在32 GT/s、頻寬為128 GB/s 的16Gb GDDR7 晶片，這是一個顯著的提升。

速度背後的技術創新

為了在保持可靠性的同時實現如此前所未有的效能，Samsung 實施了多項先進功能。該公司開發了低功耗寫入時鐘（WCK）分配系統以提高能源效率，同時配備了經過阻抗/電容最佳化的雙重加重發射器以提供更優質的訊號完整性。這些創新對於在高效能條件下保持穩定性至關重要。

SK hynix 對 GDDR7 發展的貢獻

與 Samsung 的發展同步，SK hynix 將展示其自己的42 GT/s 單端 PAM-3 接收器技術。他們的實現方案採用了革命性的單端混合判決反饋均衡（DFE）系統，旨在即使在高噪聲、串擾和符號間干擾的嚴峻條件下也能保持訊號完整性。

未來實施和市場影響

雖然這些發展令人印象深刻，但商業化實施的時間表仍不確定。NVIDIA 即將推出的 Blackwell RTX 5090 GPU 預計將使用28 Gbps GDDR7 記憶體，這表明42.5 GT/s 的速度可能會留給未來幾代產品。一旦實施，這項技術可能使顯示卡在512位介面上配備高達48GB的記憶體，潛在地實現驚人的2.7 TB/s 峰值頻寬。

實際應用和效能影響

這一進步的意義遠超出原始資料。這種新的記憶體標準可能徹底改變高效能計算應用，使更復雜的圖形處理成為可能，並加速人工智慧工作負載。然而，業界需要仔細平衡這些效能能力與功耗和散熱管理的考量。