Intel 在美國中西部的雄心勃勃的半導體制造計劃正面臨重大時間表調整，因為該公司正在根據當前市場現實重新調整其戰略。這家科技巨頭已宣佈對其曾被稱為矽心臟地帶的建設計劃進行重大修訂，反映了半導體行業的更廣泛挑戰和 Intel 自身的財務考量。
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| 一座正在建設中的現代 Intel 設施，象徵著該公司在美國中西部的半導體制造計劃 |
俄亥俄製造基地的第三次重大延期
Intel 宣佈其俄亥俄 One 半導體制造設施再次出現重大延遲，將完工日期推遲至2030年。這是從最初2025年目標的第三次重大推遲。根據修訂後的時間表，第一階段（Mod 1）將於2030年完成，晶片生產將在2030年至2031年之間開始。第二階段（Mod 2）現計劃於2031年完成，2032年開始運營。該公司正在有意放緩建設速度，以便更好地使其資本投資與當前市場條件保持一致，同時保持在客戶需求增加時加速的靈活性。
Ohio 單一製造基地時間表
- 最初完成目標：2025年
- 首次修訂：2027-2028年
- 當前時間表：
- Mod 1完成：2030年
- Mod 1生產開始：2030-2031年
- Mod 2完成：2031年
- Mod 2生產開始：2032年
市場不確定性中的財務謹慎
推遲俄亥俄設施的決定反映了 Intel 當前的財務戰略，因為它正努力恢復盈利。透過推遲生產裝置的重大投資——通常是半導體制造中最重要的支出——Intel 可以大幅減少2025-2028年期間的資本支出。Intel 執行副總裁兼全球運營首席官 Naga Chandrasekaran 在給員工的資訊中強調了公司的謹慎方法，指出修訂後的時間表確保專案以財務負責任的方式進行，為俄亥俄 One 未來的成功奠定基礎。
先進技術實施
鑑於新的時間表，俄亥俄設施將使用 Intel 14A 和 14A-E 節點之後開發的工藝技術，這些技術目前計劃在2026-2027年推出。這些先進的製造工藝可能將依賴於來自 ASML 的尖端光刻工具，包括 Twinscan EXE:5200 或更先進的 High-NA EUV 系統，每臺成本約為3.5億美元。這種技術定位表明，當俄亥俄基地最終投入運營時，它將擁有一些最先進的晶片製造能力。
Ohio One 專案詳情
- 園區面積：1,000英畝（4平方公里）
- 計劃產能：最多8座半導體制造廠
- 預計總投資：1,000億美元
- 初始投資：280億美元
- 預期工藝技術：超越 14A 和 14A-E 節點
- 關鍵裝置：ASML 高數值孔徑極紫外光刻工具（每臺3.5億美元）
儘管時間表變更，建設仍取得進展
儘管時間表有所修改，但自2022年動工以來，俄亥俄基地的建設已取得重大進展。該專案最近達到了一個里程碑，完成了地下基礎設施，使地面建設得以開始。截至2月初，該基地已接收36個超大型負載，包括四個包含空氣分離裝置的特大型裝置。工人們已投入超過640萬勞動小時，安裝了大量地下管道，澆築了超過20萬立方碼的混凝土，並建造了公用設施溝渠。在這個佔地1,000英畝（4平方公里）的大型園區內，辦公建築也正在成形。
建設進展
- 建設開始：2022年
- 投入的工時：640多萬小時
- 澆築的混凝土：超過200,000立方碼
- 收到的超大型貨物：36件（截至2月4日）
- 當前狀態：地下基礎已完成，地上建設正在進行中
長期願景和勞動力發展
Intel 保持其對俄亥俄 One 園區的長期願景，該園區設計為最終容納多達八個半導體制造廠以及支援運營和行業合作伙伴。該公司此前估計，全面開發該基地將需要約1000億美元的投資，第一階段最初預算約為280億美元。有趣的是，儘管建設延遲，Intel 已經開始為俄亥俄設施招聘和培訓員工。這些員工目前正在 Intel 位於亞利桑那州、新墨西哥州和俄勒岡州的現有基地接受培訓，為最終開放當地設施做準備。
市場影響
Intel 俄亥俄設施的多次延遲可能表明該公司對其製造能力的未來需求持謹慎態度。這發生在 Intel 和更廣泛的半導體行業面臨挑戰的時期，該公司在過去一年中經歷了財務虧損、裁員和領導層變動。Intel 還做出了簡化其產品路線圖的戰略決定，包括取消某些 AI 晶片專案。然而，透過以較慢的速度維持基地的發展，Intel 保留了在市場條件改善時加速建設的能力，同時專注於其當前的財務健康狀況。