在先進半導體制造領域， Samsung 的雄心壯志正面臨重大挑戰。最新報告顯示，其 3nm Gate-All-Around（GAA）工藝技術的良率令人失望。儘管 Samsung 在這項尖端技術上率先實現量產，但韓國科技巨頭難以達到預期的生產目標，這可能影響其在競爭激烈的晶圓代工業務中的競爭力。
當前良率表現
Samsung 第一代 3nm GAA 工藝（代號 SF3E-3GAE）的良率已達到50-60%之間。雖然這代表著生產效率的顯著提升，但仍未達到公司最初設定的70%目標。更令人擔憂的是，第二代工藝的良率僅為20%，還不到預期目標的三分之一。
對客戶關係的影響
不理想的良率已經開始影響 Samsung 的業務關係。行業重要玩家 Qualcomm 已選擇完全使用 TSMC 的 3nm N3E 工藝來製造其 Snapdragon 8 Elite 晶片，放棄了 Samsung 的方案。甚至傳統上對 Samsung 忠誠的韓國本土企業，也開始將訂單轉向 TSMC 更成熟的製程工藝。
戰略轉向2nm研發
面對這些挑戰， Samsung 似乎正在將資源重新投向未來技術節點。據報道，該公司正在使用即將推出的2nm（SF2P）工藝技術開發代號為Ulysses的新一代 Exynos 晶片組。該晶片預計將在2027年釋出的 Galaxy S27 系列中首次亮相，這表明公司正採取長期戰略來克服當前的技術障礙。
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| 展望 Samsung 的未來：Exynos 晶片代表著公司為克服當前挑戰所作出的戰略性轉變 |
行業影響
3nm 良率問題的困擾，引發了外界對 Samsung 在先進半導體制造領域競爭能力的質疑。雖然該公司仍保持著新工藝節點率先推出的先驅地位，但這些技術的實際應用和商業化仍然面臨著巨大挑戰。