驍龍 8 Elite Gen 2 規格洩露：保持相同 CPU 佈局但採用臺積電先進的 3nm 工藝

移動處理器競爭持續升溫，關於高通下一代旗艦晶片組的新資訊已經浮出水面。儘管當前的 Snapdragon 8 Elite 剛剛進入高階安卓裝置，其繼任者的詳情已經開始顯現，讓我們得以提前一窺明年頂級智慧手機可能採用的處理器。

早期規格曝光

根據 Digital Chat Station 在微博上的最新洩露，高通的下一代旗艦處理器，暫稱為 Snapdragon 8 Elite Gen 2（型號為 SM8850），將保持與其前代相同的 CPU 叢集配置。據報道，該晶片將採用 2+6 佈局，包含兩個主核心和六個效能核心，與當前 Snapdragon 8 Elite 的排列方式相同。雖然核心佈局保持不變，但新處理器將使用第二代 Oryon CPU 核心，這表明架構和效率方面將有所改進。

Snapdragon 8 Elite Gen 2 規格報告：

• 型號：SM8850
• CPU 配置：2個主核心 + 6個性能核心
• CPU 架構：第二代 Oryon 核心（可能基於 ArmV9）
• GPU：Adreno 840
• 製造工藝：TSMC N3P（3奈米）
• 架構擴充套件：支援 SME1 和 SVE2
• 潛在時鐘速度：效能核心可能測試達到5.00GHz（從4.47GHz提升）

製造工藝升級

Snapdragon 8 Elite Gen 2 最顯著的升級之一似乎是其製造工藝。洩露資訊表明，該晶片組將使用臺積電更先進的 N3P 工藝，這是 3nm 技術的改良版本。這比當前使用臺積電 N3E 工藝的 Snapdragon 8 Elite 有所提升。轉向更先進的製造工藝通常會帶來更好的能效，並可能在相同的散熱條件下提供更高的效能。

圖形效能提升

新晶片組的圖形能力也將獲得升級。據報道，Snapdragon 8 Elite Gen 2 將搭載 Adreno 840 GPU，接替當前 Snapdragon 8 Elite 中的 Adreno 830。雖然新 GPU 的具體效能指標尚未分享，但這一代際升級表明在遊戲和其他視覺要求高的應用中，圖形渲染能力將有所提高。

架構進步

洩露資訊中最具技術趣味的方面可能是關於新晶片組的架構基礎。Digital Chat Station 提到，Snapdragon 8 Elite Gen 2 將支援 SME（可擴充套件矩陣擴充套件）和 SVE2（可擴充套件向量擴充套件 2）指令集。這些擴充套件通常與較新的 ArmV9 架構相關聯，旨在增強與機器學習、計算機視覺和其他複雜計算任務相關的操作。

特別是對 SVE2 的支援表明，新晶片組可能基於 ArmV9 架構，這將標誌著從當前 Snapdragon 8 Elite 使用的 ArmV8 架構的重大升級。這一架構轉變將使高通的旗艦處理器在安全特性和擴充套件方面與最新的 Arm 硬體保持一致。

效能預期

雖然洩露資訊中沒有提到具體的時鐘頻率，但有跡象表明高通可能會將頻率推高至超過當前 Snapdragon 8 Elite 已經令人印象深刻的 4.32GHz。之前的傳言表明，新晶片組中的效能核心可能測試頻率高達 5.00GHz，這將比當前型號中 4.47GHz 的效能核心有顯著提升。

新增 ARM 的可擴充套件矩陣擴充套件可能會在多核工作負載中提供高達 20% 的提升，潛在地使 Snapdragon 8 Elite Gen 2 能夠更有效地與蘋果最新處理器競爭。

散熱考量

鑑於當前 Snapdragon 8 Elite 的高時鐘頻率以及一些使用該晶片組裝置過熱的報告，人們希望高通在新一代產品中更加重視持續效能和散熱管理。轉向更先進的製造工藝應該會在這方面有所幫助，但實際效能將取決於高通如何平衡原始功率與散熱效率。

與當前 Snapdragon 8 Elite 的比較：

展望未來

據報道，高通已經確保在這一代產品中與臺積電進行獨家晶片生產合作，由於僅在單一代工廠製造，Snapdragon 8 Elite Gen 2 可能會帶來更高的價格標籤。展望更遠，同一爆料者表示，高通計劃在 2026 年為其未來旗艦處理器轉向臺積電的 2nm 技術，繼續推動公司在高效能移動處理器領域與蘋果保持競爭力。

與所有洩露資訊一樣，這些規格在高通正式確認之前應謹慎對待。然而，它們為我們提供了一個有趣的早期瞭解，展示了該公司計劃如何為下一代高階安卓裝置發展其旗艦移動平臺。