在記憶體技術領域取得重大突破，SanDisk 推出了高頻寬快閃記憶體（High-Bandwidth Flash，HBF），這項開創性的創新技術bridged傳統 NAND 儲存和高效能記憶體之間的差距。在人工智慧應用對高速記憶體容量需求空前增長的關鍵時期，這一發展顯得尤為重要。
革命性架構
SanDisk 的 HBF 技術代表著記憶體設計的根本性轉變，將 3D NAND 的大容量儲存能力與可媲美高頻寬記憶體（HBM）的頻寬相結合。該架構採用了先進的堆疊技術，可容納透過矽通孔（TSV）互連的16個 HBF 核心裸片，所有這些都構建在專用邏輯裸片之上。這種獨特的方法實現了對多個快閃記憶體子陣列的並行訪問，在保持 NAND 成本優勢的同時提供卓越的頻寬。
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| 一張展示高頻寬快閃記憶體（ HBF ）堆疊結構的詳細圖解，呈現其精密的架構和元件 |
前所未有的容量
第一代 HBF 展示了令人矚目的效能，在配置八個堆疊時可支援高達 4TB 的視訊記憶體容量。每個堆疊可容納 512GB 記憶體，大大超過了當前 HBM3E 解決方案通常提供的每堆疊 24GB。這意味著容量提升了21倍，有望徹底改變資料密集型人工智慧應用的處理方式。
主要規格：
- 堆疊配置：每堆疊16個 HBF 核心裸片
- 最大容量：4TB（使用8個堆疊）
- 單個堆疊容量：512GB
- 核心裸片容量：每個裸片256Gb
- 對比容量：每堆疊比 HBM3E（24GB）大21倍
效能與實施
雖然 SanDisk 尚未披露具體的頻寬資料，但公司聲稱 HBF 將在相似的成本點上達到與 HBM 相當的頻寬，同時提供8到16倍的容量。該技術使用類似於 HBM 的電氣介面，儘管主機裝置需要進行一些協議修改。這種戰略性的設計選擇可能有助於硬體製造商更容易採用。
市場定位和未來應用
SanDisk 主要將 HBF 定位於人工智慧推理工作負載，在這些應用中，高吞吐量和容量比傳統 DRAM 解決方案提供的超低延遲更為重要。該公司展望了更廣泛的應用前景，包括在智慧手機等消費裝置中的潛在應用。為促進廣泛採用，SanDisk 正在努力將 HBF 建立為開放標準，並正在與行業合作伙伴組建技術諮詢委員會。
技術挑戰
儘管前景光明，但 HBF 仍面臨著幾個技術障礙。該技術必須解決 NAND 固有的寫入耐久性限制和基於塊的定址約束。SanDisk 已經制定了三代產品的開發路線圖，表明公司在解決這些挑戰和推進技術能力方面具有長期承諾。
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| 一幅展示 HBF 路線圖的視覺化圖表，詳細說明了各代產品在容量、讀取頻寬和能源效率方面的計劃改進 |