Qualcomm 的下一代移動晶片組在科技界引起了廣泛關注，新洩露的資訊顯示其比前代產品有了實質性的升級。即將推出的 Snapdragon 8 Elite Gen 2 憑藉改進的架構、先進的製造工藝和對尖端記憶體標準的支援，正在成為一款強大的處理器，有望使 Qualcomm 在移動晶片效能方面挑戰 Apple 的主導地位。
TSMC的先進3nm製造工藝
據報道，Snapdragon 8 Elite Gen 2 將採用 TSMC 的第三代3nm工藝（N3P）製造，這比當前 Snapdragon 8 Elite 使用的N3E工藝有了顯著升級。這種先進的製造技術預計將在功耗效率和原始效能能力方面帶來實質性的改進。轉向更精細的製造工藝符合 Qualcomm 的戰略，即在保持旗艦智慧手機合理功耗的同時，推動移動計算的邊界。
Snapdragon 8 Elite Gen 2 傳聞規格：
- 製造工藝：臺積電第三代3奈米工藝（N3P）
- 快取：每叢集16MB（較上一代的12MB有所提升）
- 記憶體支援：LPDDR6，向下相容 LPDDR5X
- CPU：改進的"Pegasus"核心，測試頻率達5.00GHz
- CPU配置：兩個Prime核心和六個Performance核心
- GPU：Adreno 840，時鐘頻率為1.35GHz（較之前的1.1GHz提升）
- 效能提升：根據初步測試約提升30%
- 傳聞 AnTuTu 跑分：380萬分（相比當前最高分約270萬分）
- 額外特性：支援 ARM 的可擴充套件矩陣擴充套件（SME）
快取大小顯著增加
根據 Digital Chat Station 在微博上分享的資訊，Snapdragon 8 Elite Gen 2 的快取大小將比其前代產品有明顯增加。當前的 Snapdragon 8 Elite 每個叢集包含12MB的L2快取（總計24MB），而即將推出的晶片組據傳將提升至每個叢集16MB，可能總計達到32MB的L2快取。這33.3%的快取大小增加應該會顯著提高資料訪問速度和整體系統響應能力，特別是對於記憶體密集型應用和多工處理場景。
下一代記憶體支援
在前瞻性的舉措中，據報道 Snapdragon 8 Elite Gen 2 將支援 LPDDR6 RAM，這是移動記憶體技術的下一代演進。這一新增將使其成為首批擁抱這種更新、更快、更高效記憶體標準的移動平臺之一。然而，保持與 LPDDR5X 記憶體的向後相容性給裝置製造商提供了元件選擇的靈活性，使他們能夠根據目標市場和價位平衡尖端效能和生產成本。
效能提升和基準測試預期
早期測試結果表明，Snapdragon 8 Elite Gen 2 可能比當前產品提供約30%的效能提升。雖然具體的比較點沒有明確說明，但單獨的基準測試傳聞描繪了更令人印象深刻的畫面。之前的洩露提到 AnTuTu 分數可能達到380萬點，這將比目前使用當前 Snapdragon 8 Elite 的領先裝置約270萬點的分數提高約40%。
增強的CPU架構
效能提升似乎來自多項架構改進。Snapdragon 8 Elite Gen 2 預計將使用改進的 Pegasus 核心，據報道測試速度可達5.00GHz。這款晶片組可能會保持與其前代產品類似的CPU叢集排列，但具有顯著增強的功能。此外，據說該SoC支援ARM的可擴充套件矩陣擴充套件（SME），有可能在多核工作負載中提供高達20%的效能提升——在某些場景下可能足以挑戰 Apple 的 M4 晶片。
GPU進步
圖形處理在這一升級週期中也受到關注。Snapdragon 8 Elite Gen 2 預計將配備 Adreno 840 GPU，時鐘頻率約為1.35GHz——比當前一代 Adreno 830 的1.1GHz有顯著提升。結合改進的製造工藝和更大的快取，移動遊戲和計算任務應該會看到實質性的效能提升。
釋出時間表
雖然這些洩露為 Qualcomm 的下一代旗艦移動平臺提供了令人興奮的一瞥，但官方確認仍有待公佈。行業觀察人士預計 Qualcomm 將在今年晚些時候的年度 Snapdragon 峰會上揭曉 Snapdragon 8 Elite Gen 2，屆時將正式公佈完整規格和效能指標。在此之前，這些傳聞雖然有希望，但應該以適當的謹慎態度對待。