Intel 在先進晶片封裝技術方面取得了重大進展，推出了可能重塑處理器電源傳輸和記憶體整合方式的突破性創新。在電子元器件技術會議（ECTC）上，這家半導體巨頭髮布了多項尖端封裝解決方案，旨在滿足人工智慧工作負載和下一代計算架構日益增長的需求。
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| 一個關於 EMIB 技術可擴充套件性的圖形化表示，展示了2023年、2026年和2028年的預測，強調了其在滿足人工智慧工作負載需求方面日益增長的重要性 |
EMIB-T 技術革命性地改變晶片封裝
Intel 此次釋出的核心是 EMIB-T，這是該公司現有嵌入式多晶片互連橋接（EMIB）技術的增強版本。這種新方法將矽通孔（TSV）整合到連線封裝內不同小晶片的矽橋中。這項創新解決了之前 EMIB 設計的一個關鍵限制，即由於其懸臂式電源傳輸架構而導致的電壓下降問題。
EMIB-T 從根本上改變了電源傳輸模式，透過 TSV 橋接晶片從晶片封裝底部傳輸電力。這創造了一個直接的低阻抗路徑，顯著提高了電源效率，並支援 HBM4 和 HBM4e 等高頻寬記憶體技術。該技術還提升了晶片間通訊頻寬，支援資料傳輸速率達到 32 Gb/s 或更高的 UCIe-A 互連標準。
** EMIB-T 封裝能力**
- 最大封裝尺寸：120x180mm
- 橋接支援：每個封裝支援超過38個橋接
- 晶片支援：每個封裝支援超過12個光罩尺寸的晶片
- 記憶體支援： HBM4/4e 整合
- 資料傳輸速率：透過 UCIe-A 互連實現32 Gb/s或更高速率
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| 當前架構與 EMIB-T 技術的對比圖，突出顯示了對增強晶片封裝至關重要的功率傳輸和降噪改進 |
擴充套件能力和互連密度
這項新封裝技術支援更大尺寸的晶片封裝，可達到 120x180mm 的尺寸，同時在單個封裝中支援超過 38 個橋接和超過 12 個掩模版尺寸的晶片。Intel 在互連密度方面也取得了顯著進展。雖然第一代 EMIB 採用 55 微米凸點間距，第二代縮放到 45 微米，EMIB-T 保持了 45 微米的能力，同時承諾支援遠低於此閾值的間距。該公司計劃很快達到 35 微米間距，並正在積極開發 25 微米間距。
EMIB 技術演進
- 第一代：55微米凸點間距
- 第二代：45微米凸點間距
- EMIB-T：45微米間距，支援"遠低於"45微米
- 未來路線圖：35微米間距（即將推出），25微米間距（開發中）
熱管理創新
認識到日益強大的 AI 處理器帶來的散熱挑戰，Intel 開發了一種分離式散熱器設計，將散熱器分為獨立的平板和加強件元件。這種方法改善了與熱介面材料的耦合，並將焊接空洞減少了 25%。該公司的示例展示了整合微通道的散熱器，用於直接液冷，能夠處理熱設計功耗高達 1,000W 的處理器。
散熱管理規格
- 焊料空洞減少：採用分離式散熱器設計可改善25%
- 最大散熱能力：支援1,000W TDP
- 特性：整合微通道直接液冷技術
增強的製造工藝
Intel 還專門為大型封裝基板改進了其熱壓鍵合技術。新工藝最小化了鍵合過程中封裝基板和晶片之間的熱差異，從而提高了良品率和可靠性指標。這一進步使得在大批次製造中生產比以前更大的晶片封裝成為可能，同時支援 EMIB 連線的更精細間距。
對 Intel Foundry 的戰略意義
這些封裝創新服務於 Intel 更廣泛的代工廠雄心，為內部使用和外部客戶提供全面的晶片生產選擇。該技術允許客戶將來自多個供應商的元件整合到單個封裝中，降低了完全轉向 Intel 工藝節點的風險。目前 Intel Foundry 的客戶包括 AWS 和 Cisco 等主要廠商，以及美國政府專案 RAMP-C 和 SHIP。先進封裝服務代表了 Intel Foundry 最快的收入增長路徑，因為與領先工藝節點晶片生產相比，它們需要更短的交付週期。